Mohamad Insan Nugraha研究員の論文が掲載されました。

オランダ グローニンゲン大学からの留学生Insanの研究がACS Applied Materials & InterfacesとAdvanced Electronic Materials誌に掲載されました。

“Enabling ambipolar to heavy n-type transport in PbS quantum dot solids through doping with organic molecules” ACS Applied Materials & Interfaces, 9, 18039 (2017)

“Broadening of distribution of trap states in PbS quantum dot field-effect transistors with high-k dielectrics” ACS Applied  Materials & Interfaces,  9, 4719 (2017)

“Strain-modulated charge transport in flexible PbS nanocrystal field-effect transistors”, Advanced Electronic Materials, (2017)